[发明专利]一种飞秒激光后电离质谱装置在审
申请号: | 201410553495.0 | 申请日: | 2014-10-17 |
公开(公告)号: | CN104392887A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 王利;刘本康 | 申请(专利权)人: | 大连民族学院 |
主分类号: | H01J49/04 | 分类号: | H01J49/04;H01J49/02;H01J49/26 |
代理公司: | 大连一通专利代理事务所(普通合伙) 21233 | 代理人: | 秦少林 |
地址: | 116600 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开一种飞秒激光后电离质谱装置,它包括真空腔室、样品固定架、初次电离源、后电离源、离子光学系统和飞行时间质谱;采用离子枪或激光等方式作为初次电离源对固体表面进行溅射,在上述初次电离源溅射过程中将会产生样品离子和中性粒子,其中以中性粒子为主的溅射成份很大的限制了分析结果的准确性和分辨率。本发明中将飞秒激光作为中性粒子的后电离手段,很大程度上提高了样品的电离效率。本发明最后采用飞行时间质谱的方式对样品电离成份进行分析。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 电离 装置 | ||
【主权项】:
一种飞秒激光后电离质谱装置,其特征在于:包括真空腔室(6)、样品固定架(1)、初次电离源(2)、后电离源(3)、离子光学系统(4)和飞行时间质谱(5),所述的样品固定架(1)置于所述的真空腔室(6)的左侧用于固定测验样品;所述的初次电离源(2)位于所述的样品固定架(1)的前上方,该装置用来溅射到样品表面从而获取样品的二次离子和二次中性粒子;所述的后电离源(3)位于所述的样品固定架(1)的前下方,其光路垂直于样品的二次离子和二次中性粒子流路,将二次中性粒子进行电离,进而得到更高的样品电离效率;所述的离子光学系统(4)位于所述的样品固定架(1)的正前方,其对电离信号进行提取、加速和聚焦,从而获得更加高效的探测效率;所述的飞行时间质谱(5)位于所述的离子光学系统(4)的正前方,使被加速和聚焦的样品离子在时间上分开,并且进行探测,得到样品的组分信息;所述的真空腔室(6)为实验提供超高真空实验环境。
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