[发明专利]半导体衬底、器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410553512.0 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105576027A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 许静;闫江;唐兆云;王红丽;唐波;徐烨锋;李春龙;杨萌萌;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体衬底的制造方法，包括：提供体衬底；刻蚀衬底，以形成有源区和沟槽，有源区的表面上形成有掩膜层；采用各项同性刻蚀继续刻蚀衬底，以在有源区下形成开口；填充沟槽，以形成隔离和空腔。由于空腔的存在，明显减小了器件的漏电流和功耗，增加了器件的集成度，起到类似SOI器件的效果。而与SOI器件相比，具有更好的散热性能且避免了浮体效应的产生，且避免了SOI晶圆成本过高的限制。此外，空腔处较低的空气介电常数，使得器件可承受较高的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底的制造方法，其特征在于，包括：提供体衬底；刻蚀衬底，以形成有源区和沟槽，有源区的表面上形成有掩膜层；继续刻蚀衬底，以在有源区下形成开口；填充沟槽，以形成隔离和空腔。
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