[发明专利]一种基于金锡共晶的石英键合方法在审

专利信息
申请号: 201410554261.8 申请日: 2014-10-17
公开(公告)号: CN105502967A 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 刘韧;杨军;丁凯;孙刚;唐琼;车一卓;苏翼 申请(专利权)人: 北京自动化控制设备研究所
主分类号: C03C27/08 分类号: C03C27/08
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 高尚梅
地址: 100074 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明是一种基于金锡共晶的石英键合方法。包括以下步骤:准备步骤;清洗步骤;沉积薄膜的步骤:对两侧零部件之一(11)依次沉积Cr/Au薄膜,并对中间零部件(12)对应于两侧零部件之一(11)的一侧依次沉积Cr/Au/Sn/Au薄膜;然后,对两侧零部件之二(13)依次沉积Cr/Au薄膜,并对中间零部件(12)对应于两侧零部件之二(13)的另一侧依次沉积Cr/Au/Sn/Au薄膜;热压键合的步骤。实现了焊料层组份比例的精确控制。实现了图形化焊料的精密加工。能实现石英敏感结构件的精密对准。
搜索关键词: 一种 基于 金锡共晶 石英 方法
【主权项】:
一种基于金锡共晶的石英键合方法,其特征在于,包括以下步骤:准备步骤:准备待键合的两侧零部件之一(11)、中间零部件(12)、两侧零部件之二(13),在两侧零部件之一(11)、两侧零部件之二(13)与中间零部件(12)的基片外框上事先加工好对应的键合对准图形标记;清洗步骤:对两侧零部件之一(11)、中间零部件(12)、两侧零部件之二(13)的石英表面进行清洗处理;沉积薄膜的步骤:对两侧零部件之一(11)依次沉积Cr/Au薄膜,并对中间零部件(12)对应于两侧零部件之一(11)的一侧依次沉积Cr/Au/Sn/Au薄膜,Cr/Au薄膜厚度为10~20nm;Sn/Au薄膜整体厚度为1.5~2μm,且Au:Sn薄膜的厚度比例为3:2;或者,对两侧零部件之一(11)依次沉积Ti/Au薄膜,并对中间零部件(12)对应于两侧零部件之一(11)的一侧依次沉积Ti/Au/Sn/Au薄膜,Ti/Au薄膜厚度为160~200nm;Sn/Au薄膜整体厚度为1.5~2μm,且Au:Sn薄膜的厚度比例为3:2;然后,对两侧零部件之二(13)依次沉积Cr/Au薄膜,并对中间零部件(12)对应于两侧零部件之二(13)的另一侧依次沉积Cr/Au/Sn/Au薄膜,Cr/Au薄膜厚度为10~20nm;Sn/Au薄膜整体厚度为1.5~2μm,且Au:Sn薄膜的厚度比例为3:2;或者,对两侧零部件之二(13)依次沉积Ti/Au薄膜,并对中间零部件(12)对应于两侧零部件之之二(13)的另一侧依次沉积Ti/Au/Sn/Au薄膜,Ti/Au薄膜厚度为160~200nm;Sn/Au薄膜整体厚度为1.5~2μm,且Au:Sn薄膜的厚度比例为3:2;热压键合的步骤:在对准台上将中间零部件(12)与两侧零部件之一(11)进行对准,并进行热压键合,然后在对准台上将中间零部件(12)的另一侧与两侧零部件之二(13)对准并热压键合。
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