[发明专利]一种具有前馈补偿的半导体工艺设备的温控方法

摘要

一种具有前馈补偿的半导体工艺设备的温控方法，该半导体工艺设备中包括一个或多个控温区的温控，该方法包括根据半导体工艺预设的温控条件，构建温控的前馈补偿参考信号轨迹，即将整个温控升温阶段划分为包括高速升温阶段和标准升温阶段，所述高速升温阶段完成从初始温度t到第一中间温度t’的升温过程，所述标准升温阶段完成从第一中间温度t’到目标温度T的升温过程；标准升温阶段的参考信号轨迹满足所述预设温控条件，高速升温阶段的升温速率高于标准升温阶段的升温速率；以及基于获得的前馈补偿参考信号的轨迹，进行该温控系统的控制操作。本发明能减弱温控系统时滞性的影响，加快炉体的升温效果，提高半导体工艺设备的产能。

主权项

一种具有前馈补偿的半导体工艺设备的温控方法，所述半导体工艺设备中包括一个或多个控温区的温控，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：根据半导体工艺预设的温控条件，构建温控的前馈补偿参考信号轨迹；其中，所述预设温控条件包括初始温度t、目标温度T和升温速率K；所述步骤S1具体包括：步骤S11：将整个温控升温阶段划分为包括高速升温阶段和标准升温阶段，所述高速升温阶段完成从初始温度t到第一中间温度t’的升温过程，所述标准升温阶段完成从第一中间温度t’到目标温度T的升温过程；所述标准升温阶段的参考信号轨迹满足所述预设温控条件，所述高速升温阶段的升温速率高于所述标准升温阶段的升温速率；步骤S12：根据所述半导体工艺设备中包括一个或多个控温区的温控目标温度T和升温速率K的预设条件，规划所述标准升温阶段的标准期望信号轨迹；并基于所述标准期望信号轨迹，温控系统模拟或实际完成对起始温度t到预设目标温度T的控制过程，并根据所述控制过程获取所述标准升温阶段的温度响应曲线；步骤S13：根据所述高速升温阶段T’的预设升温速率k’，规划所述标准高速升温阶段的期望信号轨迹；并基于所述期望信号轨迹，温控系统模拟完成对初始温度t到第一中间温度t’的控制过程，并根据所述控制过程获取所述高速升温阶段的温度响应曲线；步骤S14：根据所述控制过程获取所述高速升温阶段的温度响应曲线和所述标准升温阶段的温度响应曲线，获取在第一中间温度t’点拼接的前馈补偿参考信号的轨迹；步骤S2：基于获得的所述前馈补偿参考信号的轨迹，进行所述温控系统的控制操作。