[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次沉积第一栅极介电层和第一栅极材料层；实施离子注入并退火，以在第一栅极材料层的上部形成掺杂离子层；在第一栅极材料层上沉积第二栅极材料层，并在半导体衬底中形成隔离结构；在第二栅极材料层的靠近隔离结构的部分上形成牺牲侧墙，所述牺牲侧墙之间的开口构成后续形成的凹槽的顶部开口图案；形成用于填充第三栅极材料层的侧壁呈阶梯状的凹槽，露出第一栅极材料层；依次形成第三栅极介电层和第三栅极材料层，以填充所述凹槽。根据本发明，通过增大浮栅和控制栅的接触面积，来提高闪存的耦合比，进而提升闪存的性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次沉积第一栅极介电层和第一栅极材料层；实施离子注入并退火，以在所述第一栅极材料层的上部形成掺杂离子层；在所述第一栅极材料层上沉积第二栅极材料层，并在所述半导体衬底中形成隔离结构；在所述第二栅极材料层的靠近所述隔离结构的部分上形成牺牲侧墙，所述牺牲侧墙之间的开口构成后续形成的凹槽的顶部开口图案；形成用于填充第三栅极材料层的侧壁呈阶梯状的凹槽，露出所述第一栅极材料层；依次形成第三栅极介电层和第三栅极材料层，以填充所述凹槽。