[发明专利]用于测量SRAM的上拉或下拉器件的阈值电压的方法和电路有效
| 申请号： | 201410554641.1 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105513629B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张弓;李煜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于测量SRAM的上拉或下拉器件的阈值电压的方法和电路。所述方法包括：为上拉晶体管的衬底施加第一电压；为下拉晶体管的衬底和传输门晶体管的衬底施加第二电压；为传输门晶体管的栅极施加第三电压；为与待测晶体管的源极或漏极相连的第一传输门晶体管的漏极施加第四电压；为与待测晶体管的栅极相连的第二传输门晶体管的漏极施加在预定电压范围内单向变化的第五电压；禁用SRAM的锁存电路中除待测晶体管以外的晶体管；测量第一传输门晶体管的沟道电流，当沟道电流达到预设电流值时，待测晶体管的栅极电压与源极电压的差为待测晶体管的阈值电压。本发明所提供的方法可以实现在SRAM标准位元上进行测试，无需专用的测试结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 sram 下拉 器件 阈值 电压 方法 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于测量SRAM的上拉或下拉器件的阈值电压的方法，其特征在于，所述方法包括：为所述SRAM的上拉晶体管的衬底施加第一电压；为所述SRAM的下拉晶体管的衬底和传输门晶体管的衬底施加第二电压；为所述传输门晶体管的栅极施加第三电压以使其导通；为第一传输门晶体管的漏极施加第四电压，所述第一传输门晶体管的源极与待测晶体管的源极或漏极相连；为第二传输门晶体管的漏极施加在预定电压范围内单向变化的第五电压，所述第二传输门晶体管的源极与所述待测晶体管的栅极相连；禁用所述SRAM的锁存电路中除所述待测晶体管以外的晶体管；以及测量所述第一传输门晶体管的沟道电流，当所述沟道电流达到预设电流值时，所述待测晶体管的栅极电压与源极电压的差为所述待测晶体管的阈值电压。
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