[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410554811.6 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105565258B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 金滕滕;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括提供基底，在所述基底上形成吸气层；在所述吸气层上形成光阻，其中，部分所述光阻进入所述吸气层表面内；对所述光阻进行曝光和显影，以形成图案化的光阻；采用第一灰化工艺去除位于所述图案化的光阻两侧暴露的所述吸气层表面内的光阻；以所述图案化的光阻为掩膜，对所述吸气层进行刻蚀；去除所述图案化的光阻。根据本发明的制作方法，通过增加对图案化的光阻两侧暴露的吸气层表面内的光阻进行灰化工艺的步骤，避免了吸气层内的光阻对刻蚀的阻碍作用，很好的实现对吸气层的刻蚀，保证工艺的顺利进行，进而提高了器件的良率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供基底，在所述基底上形成吸气层；在所述吸气层上形成光阻，其中，部分所述光阻进入所述吸气层表面内；对所述光阻进行曝光和显影，以形成图案化的光阻；采用第一灰化工艺去除位于所述图案化的光阻两侧暴露的所述吸气层表面内的光阻，以避免所述吸气层内的光阻对刻蚀的阻碍作用；以所述图案化的光阻为掩膜，对所述吸气层进行刻蚀；去除所述图案化的光阻。
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