[发明专利]一种含有异质结结构的宽带隙反向三结太阳电池

摘要

本发明公开了一种含有异质结结构的宽带隙反向三结太阳电池，包含由底层向顶层按生长方向依次设置的衬底、缓冲层、底电池、超宽带隙隧穿结、中电池、宽带隙隧穿结、顶电池以及接触层；底电池为AlGaInP电池，中电池为AlGaAs和GaInP异质结电池，顶电池为GaAs电池；中电池采用Zn掺杂的Al_xGaAs作为基区，Si掺杂的Ga_yInP作为发射区；其中0.05≤x≤0.45，0.48≤y≤0.54；底电池其背场采用梯度Zn掺杂的Al_zGaInP，其中0.13≤z≤0.5。本发明提供的含有异质结结构的宽带隙反向三结太阳电池，能够降低界面复合速率，得到高质量的电池材料，同时提高电池短路电流密度和开路电压。

主权项

一种含有异质结结构的宽带隙反向三结太阳电池，其特征在于，该电池包含由底层向顶层按生长方向依次设置的衬底（1）、缓冲层（2）、底电池（3）、超宽带隙隧穿结（4）、中电池（5）、宽带隙隧穿结（6）、顶电池（7）以及接触层（8）；底电池（3）、中电池（5）和顶电池（7）分别包含按生长方向依次设置的窗口层、发射区、基区以及背场；所述的底电池（3）为AlGaInP电池，所述的中电池（5）为AlGaAs和GaInP异质结电池，所述的顶电池（7）为GaAs电池；所述的中电池（5），采用Zn掺杂的Al_xGaAs作为基区（5‑2），Si掺杂的Ga_yInP作为发射区（5‑1），构成异质结太阳电池；其中0.05≤x≤0.45，0.48≤y≤0.54；所述的底电池（3），其背场（3‑1）采用梯度Zn掺杂的Al_zGaInP，其中0.13≤z≤0.5。