[发明专利]基于聚苯胺/石墨烯纳米带/二氧化硅/硅的氨气传感器有效
| 申请号： | 201410556807.3 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN104297301A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 薛洁;张忠阳 | 申请（专利权）人： | 薛洁 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 王连君 |
| 地址： | 310023 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于氨气传感器领域，具体涉及一种基于聚苯胺/石墨烯纳米带/二氧化硅/硅的氨气传感器。其制备方法是使用抽滤法和转印法将石墨烯纳米带薄膜转移到硅片上，经过低温还原后得到石墨烯纳米带/二氧化硅/硅异质结材料，然后使用化学方法对其表面进行聚苯胺修饰，最后分别在该材料的上下表面涂上银胶和铟金属层作为上下电极,从而制备出具有优异氨气敏感性能的基于聚苯胺/石墨烯纳米带/二氧化硅/硅的氨气传感器。该传感器具有无需加热器，能在室温下工作，耗能低，工艺简单，灵敏度高，响应、恢复时间短等特点，在气体探测领域，具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 苯胺 石墨 纳米 二氧化硅 氨气 传感器 | ||
【主权项】：
基于聚苯胺/石墨烯纳米带/二氧化硅/硅的氨气传感器，其特征在于：从下到上依次包括二氧化硅层(3)覆盖的硅衬底(2)、采用转印法在硅衬底(2)上覆盖的一层石墨烯纳米带薄膜(4)、利用化学法在石墨烯纳米带薄膜(4)上生长的聚苯胺薄膜(5)。
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