[发明专利]氢表面处理石墨烯、其形成方法及包含该石墨烯的电子设备在审
| 申请号： | 201410556854.8 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104555998A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 洪钟一;孙长叶 | 申请（专利权）人： | 延世大学校产学协力团 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黎艳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及氢表面处理石墨烯、其形成方法和包含该石墨烯的电子设备。根据本发明一示例性实施例，可以利用通过间接氢等离子体处理的简单方法将石墨烯制成氢表面处理石墨烯。并且，根据本发明一示例性实施例，可通过间接氢等离子体处理在石墨烯上形成具有不同带隙的两个区域，因此，由于该石墨烯能够直接应用于电子设备如晶体管和触摸屏等，从而可以减少处理时间和处理成本。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 石墨 形成 方法 包含 电子设备 | ||
【主权项】：
氢表面处理石墨烯，该石墨烯具有0.1～5.5eV的带隙，并满足以下数学表达式1：[数学表达式1]10≤ID/ID’其中，ID表示存在于拉曼位移为1,350±5cm‑1的区域中的峰的强度，且ID’表示存在于拉曼位移为1,620±5cm‑1的区域中的峰的强度，所述峰的强度在用514nm的激光照射后进行测量。
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