[发明专利]一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法，该硅基薄膜太阳电池包含：绝缘衬底以及由绝缘衬底向上依次设置的背面电极、有源层和正面电极。硅基薄膜太阳电池上设有若干隔离线，将其划分为若干子电池；每条隔离线使其两侧的子电池的背面电极之间电绝缘，正面电极之间也电绝缘，每个子电池各自的背面电极和正面电极之间电绝缘。本发明还提供硅基薄膜太阳电池的子电池的隔离线刻蚀方法，将激光刻蚀与机械刻蚀相结合。本发明提供的硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法，工艺方案可靠经济，能够避免子电池在隔离线边缘处短路。有利于提高大面积薄膜太阳电池组件工艺的可靠性，推动产业化进程。

主权项

一种硅基薄膜太阳电池，其特征在于，该硅基薄膜太阳电池（5）包含绝缘衬底（1），以及由所述绝缘衬底（1）向上依次设置的背面电极（2）、有源层（3）和正面电极（4）；所述的硅基薄膜太阳电池（5）上设有若干隔离线（6）；所述的隔离线（6）将硅基薄膜太阳电池（5）划分为若干子电池；每条隔离线（6）使其两侧的子电池的背面电极（2）之间电绝缘，该两个子电池的正面电极（4）之间也电绝缘，每个子电池各自的背面电极（2）和正面电极（4）之间电绝缘；所述的隔离线（6）为台阶状结构，其截面呈倒置的“凸”字形，隔离线（6）的台阶状结构中位于水平台阶面（13）之上的第一层（10）的宽度大于水平台阶面之下的第二层（14）的宽度。