[发明专利]一种纳米硅薄膜阴极及其制作方法有效
| 申请号： | 201410558337.4 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN104357800A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 胡文波;赵晓磊;樊金龙;吴胜利;张劲涛 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;C23C14/10;H01J1/30;H01J9/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种纳米硅薄膜阴极及其制作方法，由依次制作于基底上的底电极——含纳米晶硅的二氧化硅层(即纳米晶硅颗粒镶嵌在二氧化硅中)——顶电极构成，其中的含纳米晶硅的二氧化硅层采用溅射法结合高温退火工艺制备。在含纳米晶硅的二氧化硅层的制备过程中，调节通入镀膜腔中的氩气和氧气的分压比或调节硅靶和二氧化硅靶的溅射功率来控制最后制得的含纳米晶硅二氧化硅层中的硅晶粒的大小和密度分布，使含纳米晶硅二氧化硅层中粒径适中的硅晶粒的密度呈周期性变化的分层分布。此纳米硅薄膜阴极的制作工艺与硅微电子加工工艺兼容，并且电子发射性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 薄膜 阴极 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纳米硅薄膜阴极的制作方法，其特征在于：首先在基底(4)上沉积底电极(1)，然后在底电极(1)上沉积含纳米晶硅的二氧化硅层(2)；最后在含纳米晶硅的二氧化硅层(2)的表面沉积顶电极(3)，得到纳米硅薄膜阴极；其中，含纳米晶硅的二氧化硅层(2)是采用如下两种方法中的一种沉积在底电极(1)上的：第一种方法：在底电极(1)上采用溅射法沉积SiOx薄膜，然后对SiOx薄膜进行高温退火处理使Si与SiO2产生相分离并析出纳米晶硅(22)，形成含纳米晶硅的二氧化硅层(2)；且0＜x＜2；第二种方法：在底电极(1)上交替沉积非晶硅薄膜和SiO2薄膜以得到α‑Si/SiO2多层复合薄膜，对α‑Si/SiO2多层复合薄膜进行高温退火处理，使α‑Si/SiO2多层复合薄膜中的非晶硅转变为纳米晶硅(22)，形成含纳米晶硅的二氧化硅层(2)。
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