[发明专利]一种具有介质‑金属近场耦合结构的表面等离激元电致激发源及其制作方法有效
| 申请号： | 201410559595.4 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN104269472B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李敬;孟祥敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人： | 张文祎 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有介质‑金属近场耦合结构的表面等离激元电致激发源，包括衬底、半导体量子阱外延层、金属层和耦合输出结构；所述半导体量子阱外延层负载在衬底表面；所述金属层负载在半导体量子阱外延层表面，所述耦合输出结构位于金属层中。本发明还公开了其制作方法，包括在衬底上生长半导体量子阱外延层；在所生长的半导体量子阱外延层上刻蚀出器件单元；在所刻蚀出的器件单元上沉积金属层；在所沉积的金属层中制备耦合输出结构。本发明的表面等离激元电致激发源采用半导体量子阱材料作为有源介质，基于近场耦合原理，量子效率高、发光波长范围大、激发效率高、制作工艺简单，便于集成，具有巨大的研究价值和应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 介质 金属 近场 耦合 结构 表面 离激元电致 激发 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有介质‑金属近场耦合结构的表面等离激元电致激发源，其特征在于：包括衬底、半导体量子阱外延层、金属层和耦合输出结构；所述半导体量子阱外延层负载在衬底表面；所述半导体量子阱外延层为GaAs基材料，量子阱层与金属层的距离为30‑40nm，金属层的厚度为80‑100nm；或者所述半导体量子阱外延层为InP基材料，量子阱层与金属层的距离为40‑60nm，金属层的厚度为90‑120nm；所述金属层负载在半导体量子阱外延层表面，所述耦合输出结构位于金属层中。
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