[发明专利]一种CVD生长的石墨烯的转移装置和方法

摘要

本发明涉及一种CVD生长的石墨烯的快速转移装置和方法，具体步骤如下：1）去除化学气相沉积法在相应衬底上背面生长的石墨烯；2）将目标衬底与步骤1）中得到的单面石墨烯/生长衬底样品同一端固定在底部镂空的容器壁上，其中目标衬底平行于刻蚀液液面，生长衬底/单面石墨烯样品以一定角度插入液面以下；3）步骤2）中浸在液面下的生长衬底部分首先被刻蚀，调节镂空容器中液面位置，使石墨烯与目标衬底接触贴合，即先完成转移。4）然后继续调节刻蚀液液面位置，重复步骤3）中刻蚀，转移操作，使单面石墨烯样品由自由端向固定端逐渐被刻蚀，直至全部刻蚀完成。本发明避免目前石墨烯转移技术使用PMMA等有机物，导致残留有机成分的污染问题，简化了转移工艺，实现了一种新型的连续大面积、高质量石墨烯样品的边刻蚀边转移的工艺。

主权项

一种CVD生长的石墨烯的快速转移装置和方法，具体步骤如下：1）去除化学气相沉积法在生长衬底上背面生长的石墨烯；2）将目标衬底与步骤1）中得到的单面石墨烯/生长衬底样品同一端固定在底部镂空的容器壁上，其中目标衬底平行于液面，单面石墨烯/生长衬底样品以一定角度插入液面以下；3）步骤2）中浸在液面下的生长衬底部分首先被刻蚀，调节镂空容器液面位置，使石墨烯与目标衬底接触贴合，即先完成转移；4）然后继续调节刻蚀液液面位置，重复步骤3）中刻蚀，转移操作，使单面石墨烯样品由自由端向固定端逐渐被刻蚀，直至全部刻蚀完成；5）将步骤4）中所得的石墨烯/目标衬底用电导率为18.25kΩcm的去离子水洗涤并干燥。