[发明专利]一种二极管的光电测试方法有效
| 申请号： | 201410562417.7 | 申请日： | 2014-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN104360256B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 陈建南;周武 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二极管的光电测试方法，属于二极管领域。所述方法包括确定二极管的晶圆测试间距；在待测二极管的晶圆划裂前，按所述测试间距在待测二极管的晶圆上选取待测芯片；对选取的各个所述待测芯片分别进行光电测试；所述对选取的各个所述待测芯片分别进行光电测试，包括将第一测试探针接入当前的所述待测芯片的P电极；将第二测试探针接入第一芯片的N电极，所述第一芯片与所述待测芯片均处于所述待测二极管的晶圆上；向所述第一测试探针和所述第二测试探针通入额定电流或额定电压；采用测量设备对所述待测芯片的光电参数进行检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 光电 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种二极管的光电测试方法，适用于二极管的晶圆测试，所述二极管的晶圆包括多个芯片，所述方法包括：确定二极管的晶圆测试间距；在待测二极管的晶圆划裂前，按所述测试间距在待测二极管的晶圆上选取待测芯片；对选取的各个所述待测芯片分别进行光电测试；其特征在于，所述对选取的各个所述待测芯片分别进行光电测试，包括：将第一测试探针接入当前的所述待测芯片的P电极，所述待测芯片的P电极和N电极位于所述待测芯片的同一侧；将第二测试探针接入第一芯片的N电极，所述第一芯片与所述待测芯片均处于所述待测二极管的晶圆上，所述第一芯片的P电极和N电极位于所述第一芯片的同一侧；向所述第一测试探针和所述第二测试探针通入额定电流或额定电压；采用测量设备对所述待测芯片的光电参数进行检测。
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