[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管制备方法

摘要

本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其步骤选取衬底，在衬底制作栅电极；在衬底上生长一层绝缘介质或高介电常数介质，并覆盖在栅电极上作为栅介质层；在栅介质层上生成一层第一金属层；在第一金属层上生成一层第二金属层；在第一金属层中间位置上制备沟道区，在第二金属层中间位置上制备钝化区；在常压和室温下对沟道区和钝化区的金属进行阳极氧化处理；制作源区和漏区，形成包含源区、漏区和沟道区的有源区；源区和漏区由未经过阳极氧化处理的第一金属层和第二金属层的双层金属组成；在有源区上淀积一层氮化硅层，制作电极的两个接触孔；法淀积一层金属铝膜，然后光刻和刻蚀制成两个金属接触电极。本发明可以广泛在薄膜晶体管领域中应用。

主权项

一种金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其包括以下步骤：1)选取衬底，在衬底上生长一层金属薄膜或者透明导电薄膜，然后在该金属薄膜或透明导电薄膜上采用光刻和刻蚀在衬底中心位置处形成栅电极；2)在衬底上生长一层绝缘介质，并覆盖在栅电极上作为栅介质层；3)在栅介质层上生成一层10～100纳米厚第一金属层，该生长方法采用直流磁控溅射的方法，使用金属或者合金靶，纯度≥99.99％，溅射气压为0.3～2.5Pa之间，气体为纯氩气；4)在第一金属层上生成一层50～300纳米厚第二金属层，该生长方法也采用直流磁控溅射的方法，使用金属或者合金靶，纯度≥99.99％，溅射气压为0.3～2.5Pa之间，气体为纯氩气；5)在第一金属层中间位置上制备沟道区，在第二金属层中间位置上制备钝化区，钝化区位于沟道区的上部；然后在常压和室温下对沟道区和钝化区的金属进行阳极氧化处理，阳极氧化使第一金属层成为半导体金属氧化层，而使第二金属层成为绝缘介质的金属氧化物层；半导体金属氧化物层为薄膜晶体管的沟道层，而绝缘介质的金属氧化物层成为沟道层的钝化层；6)制作源区和漏区，形成包含源区、漏区和沟道区的有源区；源区及漏区位于沟道区两侧，并与沟道区相连，源区和漏区由未经过阳极氧化处理的第一金属层和第二金属层的双层金属组成；7)在有源区上采用等离子增强化学汽相淀积或磁控溅射方法淀积一层氮化硅层，该氮化硅层覆盖栅介质层，然后在氮化硅层上位于源区一侧和漏区一侧都采用光刻和刻蚀，形成电极的两个接触孔；8)在整个器件上表面上采用磁控溅射方法淀积一层金属铝膜，然后光刻和刻蚀制成薄膜晶体管电极的两个金属接触电极，两个金属接触电极将薄膜晶体管的源、漏电极引出，完成金属氧化物薄膜晶体管制备。