[发明专利]衬底处理设备有效
申请号: | 201410563117.0 | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN104576446B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 白圣焕;李周薰;金镐岩;金炳秀 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张洋 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种衬底处理设备,其能够去除衬底处理空间内的颗粒。衬底处理设备包含:具有衬底处理空间的腔壳,所述衬底处理空间由底壁、上壁,以及将底壁连接到上壁的侧壁界定;经配置衬底平台,所述衬底平台是在衬底处理空间内在第一轴向方向以及与第一轴向方向交叉的第二轴向方向上可移动的;以及下部排气单元,所述下部排气单元经配置以排出存在于衬底平台与腔壳的底壁之间的气体。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 设备 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理设备,其特征在于,包括:腔壳,具有衬底处理空间,所述腔壳由底壁、上壁,以及将所述底壁连接到所述上壁的侧壁界定;衬底平台,经配置以在所述衬底处理空间内在第一轴向方向以及与所述第一轴向方向交叉的第二轴向方向上是可移动的;以及下部排气单元,经配置以引导存在于所述衬底平台与所述腔壳的所述底壁之间的气流,所述下部排气单元包括:下部排气气体流入本体,安置在所述衬底平台下,所述下部排气气体流入本体与所述衬底平台一起移动以将朝向所述衬底平台的侧壁的所述气流引导至所述衬底平台下方;下部排气流入阻断本体,连接到所述下部排气气体流入本体的下部部分以防止将朝向所述衬底平台的所述侧壁的所述气流引导至所述衬底平台下方;以及下部排气通道本体,经配置以将在所述衬底平台下方的所述气流排出到外部,所述下部排气气体流入本体包括:下部排气上部板,安置在所述衬底平台下以与所述衬底平台一起移动;以及下部排气气体流入板,连接到所述下部排气上部板,具有多个狭缝以将在所述下部排气上部板上流动的所述气流引入到所述衬底平台的下侧中,所述下部排气流入阻断本体在所述第二轴向方向上连接到所述下部排气上部板的外边缘、在所述第二轴向方向上纵向地安置,并且具有朝向所述腔壳的所述底壁倾斜的形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造