[发明专利]聚乙烯基咔唑插层水滑石荧光薄膜及其制备方法

摘要

本发明属于有机－无机复合材料领域，具体涉及一种聚乙烯基咔唑插层水滑石荧光薄膜及其制备方法。本发明的聚N-乙烯基咔唑与对叔丁基苯甲酸根插层的水滑石薄膜为超分子结构，其晶体结构为类水滑石材料的晶体结构，化学式为：[(M²⁺)_1-x(M³⁺)_x(OH)₂]^x+(PTBBA^-)_x(PVK)_y·mH₂O。本发明利用水滑石层间对叔丁基苯甲酸根提供的富含苯环的疏水环境，可以将具有优良荧光特性的N-乙烯基咔唑组装进入水滑石层间，在汞灯照射下实现了原位聚合，制备了聚合N-乙烯基咔唑插层水滑石薄膜材料。该材料插层结构稳定、机械强度高、耐腐蚀性强，且在可见光区有明显的荧光，作为光学材料具有广阔的应用前景。

主权项

一种聚乙烯基咔唑插层水滑石荧光薄膜，其特征在于：先通过电解氧化法在金属铝基板上生成一层致密氧化铝层作为铝基底，再采用原位生长法在该基底上生成层板垂直铝基底排列的对叔丁基苯甲酸根插层水滑石薄膜，在层间形成含有苯环结构的疏水性环境；然后将N‑乙烯基咔唑引入并固定于对叔丁基苯甲酸根修饰的水滑石层间；再将该薄膜浸泡在氯仿中，用高压汞灯照射，促使N‑乙烯基咔唑在水滑石层间发生原位聚合，得到聚N‑乙烯基咔唑与对叔丁基苯甲酸根插层的水滑石薄膜；所述的聚N‑乙烯基咔唑与对叔丁基苯甲酸根插层的水滑石薄膜为超分子结构，其晶体结构为类水滑石材料的晶体结构，其化学式为：[(M²⁺)_1‑x(M³⁺)_x(OH)₂]^x+(PTBBA^‑)_x(PVK)_y·mH₂O其中x＝0.25‑0.33，y＝0.01‑0.03，m＝3‑6，m为层间结晶水分子的数量，M²⁺为二价金属离子，M³⁺为三价金属离子，PTBBA^‑为对叔丁基苯甲酸根，PVK为聚N‑乙烯基咔唑。