[发明专利]一种化合物半导体材料加工设备在审
| 申请号： | 201410564866.5 | 申请日： | 2014-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN105590833A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 朱彤 | 申请（专利权）人： | 朱彤 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种化合物半导体材料加工设备，其特征在于：所述的化合物半导体材料加工设备包括进气管道、喷淋口、上电机、冷却液进口、载片台、石墨盘、下电极、支撑轴；其中：设备最上方设有进气管道，喷淋口上增设上电极，在石墨盘侧边或底边增设下电极，上电极与下电极构成平板电容结构，形成垂直于衬底表面的电场，设备侧边设有冷却液进口，石墨盘上设有载片台。本发明的优点：本发明所述的化合物半导体材料加工设备，具有结构合理，设计巧妙，极性程度实时进行调节，提高掺杂效率，对样品无污染，而且成品率高，尤其适用于大规模生产中等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体材料 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体材料加工设备，其特征在于：所述的化合物半导体材料加工设备包括进气管道（1）、喷淋口（2）、上电机（3）、冷却液进口（4）、载片台（5）、石墨盘（6）、下电极（7）、支撑轴（8）；其中：设备最上方设有进气管道（1），喷淋口（2）上增设上电极（3），在石墨盘（6）侧边或底边增设下电极（7），设备侧边设有冷却液进口（4），石墨盘（6）上设有载片台（5）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
