[发明专利]接触结构及其形成方法

摘要

本发明的实施例包括接触结构及其形成方法。一个实施例是形成半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上方形成接触区域；在接触区域和衬底上方形成介电层；以及形成穿过介电层的开口以暴露接触区域的一部分。该方法还包括：在接触区域的暴露部分上以及沿着开口的侧壁形成金属硅化物层；以及用导电材料填充开口以在介电层中形成导电插塞，导电插塞电连接至接触区域。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成接触区域；在所述接触区域和所述衬底上方形成介电层；形成穿过所述介电层的开口以暴露所述接触区域的一部分；在所述接触区域的暴露部分上以及沿着所述开口的侧壁形成金属硅化物层，其中，形成所述金属硅化物层包括：沿着所述接触区域的暴露部分、所述开口的侧壁以及在所述介电层上方形成含硅覆盖层；在所述开口中和所述介电层上方的所述含硅覆盖层上形成金属层；在所述开口中和所述介电层上方的金属层上形成粘合层；以及实施硅化工艺以使所述含硅覆盖层的至少一部分与所述金属层反应从而形成所述金属硅化物层；以及用导电材料填充所述开口的位于所述金属硅化物层和所述粘合层上方的剩余部分以在所述介电层中形成接触插塞，所述接触插塞电连接至所述接触区域。