[发明专利]钛基多元素薄膜双色阳极形成方法及其制品在审

专利信息
申请号: 201410566432.9 申请日: 2014-10-22
公开(公告)号: CN105586625A 公开(公告)日: 2016-05-18
发明(设计)人: 李昇颐;黄文毅;黄正丰 申请(专利权)人: 可成科技股份有限公司
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;C23C14/16;C23C28/00
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 王芝艳;冯志云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种钛基多元素薄膜双色阳极形成方法包括下列的步骤:提供一基材;清洗该基材;沉积一钛基多元素薄膜于该基材上,钛基多元素薄膜包含钛金属与至少另一金属;形成一掩模于该基材上;将具有该钛基多元素薄膜的该基材作为阳极,浸入电解液;通入第一直流电压以氧化该钛基多元素薄膜的表面,并产生第一钛基多元素氧化膜层于该基材上;移除该掩模;将该基材作为阳极,浸入电解液,进行阳极处理;通入比第一直流电压低的第二直流电压以氧化该钛基多元素薄膜的表面,并产生第二钛基多元素氧化膜层于该基材上;以及清洗该基材。本发明还提供一种具钛基多元素薄膜双色阳极处理的制品。
搜索关键词: 基多 元素 薄膜 阳极 形成 方法 及其 制品
【主权项】:
一种钛基多元素薄膜双色阳极形成方法,其特征在于,包括下列的步骤:提供一基材;清洗该基材;沉积一钛基多元素薄膜于该基材上,其中该钛基多元素薄膜含有钛金属与至少另一金属;形成一掩模于该基材上;将具有该钛基多元素薄膜的该基材作为阳极,浸入电解液;通入第一直流电压以氧化该钛基多元素薄膜的表面,并产生第一钛基多元素氧化膜层于该基材上;移除该掩模;将该基材作为阳极,浸入电解液,进行阳极处理;通入比第一直流电压低的第二直流电压以氧化该钛基多元素薄膜的表面,并产生第二钛基多元素氧化膜层于该基材上;以及清洗该基材。
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