[发明专利]一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201410567591.0 | 申请日: | 2014-10-22 |
公开(公告)号: | CN104319261B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 沈奇雨 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陈源 |
地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。该制备方法包括在玻璃基板上形成薄膜晶体管和信号线;在对应薄膜晶体管和信号线的上方形成有机绝缘层;在有机绝缘层上方形成钝化绝缘层,在形成钝化绝缘层之前,还包括对形成有机绝缘层的玻璃基板进行预加热处理。该制备方法通过对形成有机绝缘层的玻璃基板进行预加热处理,且相比于现有技术,去除了对形成有机绝缘层的玻璃基板的氮气等离子体处理和氮气流处理,使形成有机绝缘层的玻璃基板的界面态特性增强,从而使钝化绝缘层与形成有机绝缘层的玻璃基板之间的粘附性增强,进而能够防止形成在有机绝缘层上方的钝化绝缘层发生脱落,保证了阵列基板的品质。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,包括:在玻璃基板上形成薄膜晶体管和信号线;在对应所述薄膜晶体管和所述信号线的上方形成有机绝缘层;在所述有机绝缘层上方形成钝化绝缘层,其特征在于,所述钝化绝缘层包括第一钝化层和/或第二钝化层,在形成所述第一钝化层或所述第二钝化层之前,还包括对形成所述有机绝缘层的所述玻璃基板进行预加热处理,其中:预加热处理的温度范围为230℃‑300℃,预加热处理的时长范围为15秒‑25秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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