[发明专利]用于相变存储材料的氨基嘧啶Ge(Ⅱ)前质体及其制备方法有效
| 申请号： | 201410567814.3 | 申请日： | 2014-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN104341355A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 丁玉强;王权;王大伟;苗红艳 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C07D239/42 | 分类号： | C07D239/42;C23C16/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于相变存储材料的氨基嘧啶Ge(II)前质体，该前质体以氨基嘧啶及其衍生物为配体，依以下方法制备：(1)将氨基密啶及其衍生物溶解在反应溶剂中，-78～0℃搅拌条件下加入烷基锂溶液，氨基嘧啶或其衍生物与烷基锂摩尔比1.0∶1.0～1.2，恢复室温继续搅拌至固体产生，过滤得到锂盐；(2)将步骤(1)得到的锂盐与甲苯混合，-78～0℃条件下以锂盐与金属锗摩尔比2.0∶1.0～1.2滴加到二氯化锗的甲苯溶液中，升温至室温；(3)将步骤(2)得到的混合物过滤浓缩，滤渣用二氯甲烷提取，收集滤液，-50～0℃低温结晶，得到所述的氨基嘧啶Ge(II)前质体。本发明合成方法简单，制备的前质体热稳定性高，挥发性好，成膜性能优良，是制备相变存储材料潜在的重要前质体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储 材料 氨基 嘧啶 ge 质体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储材料的氨基嘧啶Ge(Ⅱ)前质体，其特征在于，具有以下结构：![]()
其中R1，R2，R3，R4表示氢原子(R1除外)、C1～C6烷基、C2～C5链烯基、C3～C10环烷基、C6～C10芳基或—Si(R5)3，其中R5为C1～C6烷基；R1，R2，R3，R4相同或相异。
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