[发明专利]一种用于硅片刻蚀反应腔室清洗的方法在审
| 申请号： | 201410568055.2 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105583206A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 张栋 | 申请（专利权）人： | 青岛百键城环保科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B9/08 | 分类号： | B08B9/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266300 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反应腔室清洗的方法，用于清洗反应腔室内的副产物。首先向反应腔室中通入SF6&O2等工艺气体，通过射频源将工艺气体电离成等离子体，等离子体与所述副产物反应，生成挥发性物质；然后向反应腔室中通入He气及N2气等工艺气体，将所述挥发性物质带出反应腔室。启动射频源时，首先将所述射频源的功率设定为50-400W,保持一段时间；然后将射频源的功率设定为400-800W,保持至反应结束，有利于获得稳定的等离子体。通过对反应腔室内的副产物进行气化，并带走，能有效清除反应腔室中的刻蚀副产物及颗粒。主要适用于清洗硅片加工设备中的刻蚀腔室，也适用于清冼其它的腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 硅片 刻蚀 反应 清洗 方法 | ||
【主权项】：
所述的挥发性物质包括SiF4和/或C02和/或CO。
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