[发明专利]一种新的晶硅太阳能电池前栅线电极开槽方法以及该太阳能电池的制造方法

摘要

本发明公开了一种新的晶硅太阳能电池前栅线电极开槽方法以及该太阳能电池的制造方法。包括晶体硅P-N接衬底；背电极；与晶体硅P-N结衬底N区欧姆接触的前栅电极；位于晶体硅P-N 结衬底N区表面的减反射层。所述制造方法包括清洗制绒步骤、扩散、制结步骤、洗磷和刻蚀步骤、制备背电极步骤、丝网印刷前栅线电极模型、制备减反射层步骤、腐蚀前栅线电极模型及超声除去前栅线电极模型上的减反射层、光诱导电镀前栅线电极步骤、氧化烧结步骤、电镀前栅线电极步骤。本发明结合传统的丝网印刷技术为发射极开槽，便于与工业化生产相结合，采用光诱导电镀前栅电极、氧化烧结，具有生产工艺简单、效率高及光电转化效率高的特点。

主权项

一种新的晶硅太阳能电池前栅线电极开槽方法，包括晶体硅P‑N 结、P 区背电极，所述的P区背电极与晶体硅P‑N 结电性连接，其特征在于具体实现步骤为：（1）在晶体硅P‑N 结之N区表面丝网印刷前栅线电极模型；（2）气相沉积氮化硅减反射层；（3）超声除去前栅线电极模型上面的氮化硅并腐蚀除去前栅线电极模型，形成在氮化硅表面的开槽。