[发明专利]TFT阵列基板有效
申请号: | 201410568875.1 | 申请日: | 2014-10-22 |
公开(公告)号: | CN104267519B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 陈彩琴;许哲豪 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种TFT阵列基板,该TFT阵列基板通过改变子像素的排列方式,使得在同一帧画面显示周期内,将空间上亮暗不均的子像素交错排列,改善了竖直亮暗线的显示缺陷;且可以使数据线整体电阻变小,减小阻容延迟,避免了扫描线或者数据线末端的错充显现。 | ||
搜索关键词: | tft 阵列 | ||
【主权项】:
一种TFT阵列基板,其特征在于,包括:多条数据线、多条扫描线、及呈阵列式的多个子像素;每行子像素中的奇数列子像素与偶数列子像素在平面上横向错开;每条数据线分别通过TFT与每行子像素中位于该条数据线左、右两侧的两个子像素形成电性连接,并为该两个子像素提供数据信号;对应每一行子像素设置分别位于其上、下两侧的两条扫描线;第n条扫描线(G(n))和第n’条扫描线(G(n’))分别位于第n行子像素(P(n))的上、下两侧;第n+1条扫描线(G(n+1))和第n’+1条扫描线(G(n’+1))分别位于第n+1行子像素(P(n+1))的上、下两侧;第n+2条扫描线(G(n+2))和第n’+2条扫描线(G(n’+2))分别位于第n+2行子像素(P(n+2))的上、下两侧;第n+3条扫描线(G(n+3))和第n’+3条扫描线(G(n’+3))分别位于第n+3行子像素(P(n+3))的上、下两侧,n为正整数,且使第n行子像素(P(n))、第n+1行子像素(P(n+1))、第n+2行子像素(P(n+2))及第n+3行子像素(P(n+3))形成一个可重复的电路组成单元;第n条扫描线(G(n))通过TFT电性连接并驱动第n行子像素(P(n))的偶数列子像素,第n’条扫描线(G(n’))通过TFT电性连接并驱动第n行子像素(P(n))的奇数列子像素;第n+1条扫描线(G(n+1))通过TFT电性连接并驱动第n+1行子像素(P(n+1))的偶数列子像素,第n’+1条扫描线(G(n’+1))通过TFT电性连接并驱动第n+1行子像素(P(n+1))的奇数列子像素;第n+2条扫描线(G(n+2))通过TFT电性连接并驱动第n+2行子像素(P(n+2))的奇数列子像素,第n’+2条扫描线(G(n’+2))通过TFT电性连接并驱动第n+2行子像素(P(n+2))的偶数列子像素;第n+3条扫描线(G(n+3))通过TFT电性连接并驱动第n+3行子像素(P(n+3))的奇数列子像素,第n’+3条扫描线(G(n’+3))通过TFT电性连接并驱动第n+3行子像素(P(n+3))的偶数列子像素;从而第n行、第n+1行子像素(P(n)、P(n+1))中的偶数列子像素先于奇数列子像素被驱动;第n+2行、第n+3行子像素(P(n+2)、P(n+3))中的偶数列子像素后于奇数列子像素被驱动;数据线的驱动方式为两点极性反转一次;同一帧画面显示周期内,每列子像素中,第n行、第n+1行子像素(P(n)、P(n+1))与第n+2行、第n+3行子像素(P(n+2)、P(n+3))亮、暗交错。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410568875.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。