[发明专利]一种阻变存储器写操作电路

摘要

本发明属于存储器技术领域，公开了一种阻变存储器写操作电路，包括：电压反馈模块，获取存储器阵列晶体管的漏端电压，并与参考电压比较，输出反馈信号；反馈控制逻辑电路，接收写使能信号与写操作信号，在反馈信号的控制下输出控制信号，驱动或者终断下级电路的写操作；斜坡脉冲产生电路，接收控制信号，产生逐级变化的脉冲信号；极性选择电路，接收脉冲信号与写操作信号，输出SL信号与BL_pre信号；列译码与列选通电路，接收BL_pre信号，执行译码并选通列选通管将BL_pre信号写入存储阵列位线；其中，SL信号接入存储阵列源线。本发明通过检测存储阵列的漏端电压实现自反馈检测过程；配合阶梯脉冲信号，能够避免过写现象，增强阻变存储器的可靠性。

主权项

一种阻变存储器写操作电路，通过自反馈实现写操作的验证；其特征在于，包括：电压反馈模块，获取存储器阵列晶体管的漏端电压DL，并与参考电压Vref比较，输出反馈信号Fb；反馈控制逻辑电路，接收写使能信号Wen与写操作信号Data，在所述反馈信号Fb的控制下输出控制信号Cont，驱动或者终断下级电路的写操作；斜坡脉冲产生电路，接收所述控制信号Cont，产生逐级变化的脉冲信号Vout；极性选择电路，接收所述脉冲信号Vout与写操作信号Data，输出SL信号与BL‑pre信号；列译码与列选通电路，接收BL‑pre信号，执行译码并选通列选通管将所述BL‑pre信号写入所述存储阵列位线BL；其中，所述SL信号接入所述存储阵列源线；所述斜坡脉冲电压产生电路的输出电压由基准电压开始，产生阶梯形渐变。