[发明专利]一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法有效
申请号: | 201410571029.5 | 申请日: | 2014-10-23 |
公开(公告)号: | CN104370278A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 贾磊;吕振林;李树丰 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | C01B21/072 | 分类号: | C01B21/072;C04B35/581;C04B35/626;B82Y30/00 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开的一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法,其以Al粉为原料,通过在低温和常压下的氮化处理制得AlN粉末,随后通过湿法机械球磨对所制备的AlN粉末进行分散,最后进行干燥处理后即获得高纯度的纳米AlN粉末。本发明的一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法解决了现有的AlN制备方法存在的所需设备要求高、方法复杂和制得的AlN纯度较低的缺点。本发明的一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法对原料和制备设备均无特殊要求,其制备工艺简单、能耗较低、制得的纳米AlN粉末纯度高,在制备过程中无需添加任何辅助试剂,且氮化处理的设备简单,所通气氛为常压气氛,因而制备成本较为低廉,对于工业化大规模生产具有很高的价值。 | ||
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【主权项】:
一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:将称量好的Al粉末装入陶瓷料舟中,推入加热炉内并关闭炉腔;步骤二:向加热炉中通入H2将炉腔内的空气排除,并在H2气氛中升温至590℃‑620℃进行初次保温处理,初次保温后停止通入H2,然后通入N2进行二次保温处理,二次保温结束后在N2气氛中炉冷至室温后制得高纯度AlN粉末;步骤三:将步骤二制得的AlN粉末放入球磨罐中,加入球磨介质和磨球后进行机械破碎和湿法球磨,最后得到AlN粉末‑介质混合物;步骤四:将步骤三制得的AlN粉末‑介质混合物过滤后放入真空烘箱内烘干后即得高纯度纳米AlN粉末。
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