[发明专利]一种横向沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

摘要

一种横向沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该结构包括P型衬底，埋氧层，漂移区，在漂移区一侧设有深沟槽栅，深P型体区，深P型体区内设有相连的向漂移区内延伸止于BOX层的深P型发射极区、深N型发射极区，在相连的深P型发射极区、深N型发射极区上方设有发射极金属，另一侧设有N型缓冲层和P型集电极区，在P型集电区上方设有集电极金属，该半导体制备方法包括衬底，埋氧层，N型外延层的制备，用深槽工艺结合多次外延多次高浓度离子注入工艺形成N型发射极、P型体区和P型发射极，用高浓度离子注入工艺形成N型缓冲层和P型集电极区，用槽栅工艺制造成多晶硅栅，打孔、淀积铝形成电极。

主权项

一种横向沟槽绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底（1），在P型衬底（1）上设有埋氧层（2），在埋氧层（2）上设有N型漂移区（3），在N型漂移区（3）的上表面上方设有氧化层（9），在N型漂移区（3）的上表面下方设有多晶硅栅（4）、P型体区（8）和N型缓冲层（12），在P型体区（8）内设有发射极区，在发射极区上设有发射极铝电极（7），在N型缓冲层（12）内设有P型集电极区（11），在P型集电极区（11）上设有集电极铝电极（10），并且，所述N型缓冲层（12）和P型集电极区（11）位于N型漂移区（3）的一侧，所述P型体区（8）和发射极区位于N型漂移区（3）的另一侧，其特征在于，所述多晶硅栅（4）贯穿N型漂移区（3）且始于N型漂移区（3）的上表面并止于埋氧层（2），在多晶硅栅（4）的外周面上设有一层栅氧化层（13）且栅氧化层（13）将多晶硅栅（4）围合其内，所述P型体区（8）始于N型漂移区（3）的上表面并止于埋氧层（2），P型体区（8）在N型漂移区（3）的上表面上的形状呈现闭合，且P型体区（8）贯穿N型漂移区（3）并始于N型漂移区（3）的上表面、止于埋氧层（2），位于P型体区（8）内的发射极区由P型发射极（6）及分别位于P型发射极（6）两侧的第一N型发射极（5）和第二N型发射极（14）组成，所述第一N型发射极（5）、第二N型发射极（14）和P型发射极（6）贯穿N型漂移区（3）且始于N型漂移区（3）的上表面并止于埋氧层（2），所述栅氧化层（13）及其内的多晶硅栅（4）横向切入第一N型发射极（5）、第二N型发射极（14）、P型发射极（6）和P型体区（8）内并将第一N型发射极（5）、第二N型发射极（14）、P型发射极（6）和P型体区（8）分隔成两部分。