[发明专利]一种高陡岩质边坡植被种植方法有效
| 申请号： | 201410571514.2 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN104255280A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 陈洪凯;杨铭;吴帆 | 申请（专利权）人： | 陈洪凯;杨铭;吴帆 |
| 主分类号： | A01G1/00 | 分类号： | A01G1/00;A01G9/02;E02D17/20 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 王玉芝 |
| 地址： | 400074 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高陡岩质边坡植被种植方法，该方法包括以下步骤：步骤一，在高陡岩质边坡坡面凿若干种植穴；步骤二，在所述种植穴的底部钻若干根系孔；步骤三，根系孔钻完后，用水浇入种植穴和根系孔中，待积水消失后用黏土与水混合搅拌制成泥浆，在根系孔中灌满泥浆，并在种植穴的内壁涂抹一层泥浆；步骤四，在所述种植穴中，从底部开始由下往上依次填充储水层、营养土层、种子层和防蒸发层。采用本发明的高陡岩质边坡植被种植方法，解决了植被水分问题，增加了植被的存活率，降低了维护成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高陡岩质边坡 植被 种植 方法 | ||
【主权项】：
一种高陡岩质边坡植被种植方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在高陡岩质边坡坡面凿若干种植穴；步骤二，在所述种植穴的底部钻若干根系孔；步骤三，根系孔钻完后，用水浇入种植穴和根系孔中，待积水消失后用黏土与水混合搅拌制成泥浆，在根系孔中灌满泥浆，并在种植穴的内壁涂抹一层泥浆；步骤四，在所述种植穴中，从底部开始由下往上依次填充储水层、营养土层、种子层和防蒸发层。
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