[发明专利]一种非均相紫外‑芬顿氧化催化剂及其制备与应用有效

专利信息
申请号: 201410572458.4 申请日: 2014-10-23
公开(公告)号: CN104383958B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 苏文琼;车顺爱;丁显廷 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: B01J27/26 分类号: B01J27/26;C02F1/32;C02F1/72;B01D53/86;B01D53/72
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司31220 代理人: 郑立
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种非均相紫外‑芬顿氧化催化剂及其制备与应用,以普鲁士蓝为铁源,普鲁士蓝以自组装方式沉积在具有垂直孔道的氨基功能化SiO2介孔薄膜上,通过物理吸附和正负电荷相互作用力实现普鲁士蓝固定化,结合牢固,抗流失;所制备的催化剂为膜催化剂,比表面积大,活性组分利用效率高,催化效率高,与粉末状、颗粒状催化剂相比,易分离、易回收;由于催化剂具有垂直分布的介孔孔道,内扩散阻力小,适于处理的有机物种类多;同时,催化剂负载的普鲁士蓝,包含多种形态的铁,具有协同作用;另外,本发明的制备方法工艺简单,条件温和,适合推广应用。
搜索关键词: 一种 均相 紫外 氧化 催化剂 及其 制备 应用
【主权项】:
一种非均相紫外‑芬顿氧化催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:以双子型阴离子型表面活性剂为模板剂,以3‑氨丙基三甲氧基硅烷为助结构导向剂,并加入硅源,采用溶胶‑凝胶法,在基底材料表面制备具有垂直孔道结构的SiO2介孔薄膜,即VC SiO2介孔薄膜,所述基底材料为玻璃片或硅晶片;步骤2:将具有垂直孔道结构的SiO2介孔薄膜置于乙醇/乙醇胺混合溶液中溶解去除模板剂,同时暴露出垂直孔道内由3‑氨丙基三甲氧基硅烷引入的氨基基团,实现VC SiO2介孔薄膜的氨基功能化;步骤3:以普鲁士蓝为铁源在具有垂直孔道结构的SiO2介孔薄膜上进行普鲁士蓝层层自组装,得到PB/VC SiO2介孔薄膜即为非均相紫外‑芬顿氧化催化剂,将具有垂直孔道结构的SiO2介孔薄膜交替置于K4Fe(CN)6溶液和FeCl3溶液中浸泡,30‑90s/次,10‑30次,然后冲洗、干燥;步骤1中所述双子型阴离子型表面活性剂为十二烷基谷氨酸二钠、十四烷基谷氨酸二钠、十六烷基谷氨酸二钠或十八烷基谷氨酸二钠。
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