[发明专利]放大器和放大方法

摘要

本发明涉及电路，公开了一种放大器和放大方法。上述放大器包括偏置单元、放大单元和施密特触发器。该偏置单元配置成产生偏置电流，该偏置电流独立于电源，以增加电源抑制比。该放大单元与该偏置元连接并配置成接收输入电压并基于该偏置电流产生放大电压。该施密特触发器与该放大器连接并配置成产生并输出修正电压。因此，提供了一种能够增加电源抑制比的放大器。 1

主权项

1.一种放大器，其特征在于，包括：

偏置单元，配置成产生独立于电源的偏置电流，以增加电源抑制比；

放大单元，与所述偏置单元连接并配置成接收输入电压和基于所述偏置电流产生放大电压；

施密特触发器，与所述放大单元连接并配置成产生和输出修正电压；

所述偏置单元包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三PMOS晶体管、镜像电流源、第一电阻；

其中，所述第一NMOS晶体管的源极连接到地，所述第一NMOS晶体管的栅极与所述第一电阻的一端和所述第二NMOS晶体管的源极连接，第一电阻的另一端连接到地，所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第二NMOS晶体管的栅极和所述镜像电流源的第一端口连接；

所述第二NMOS晶体管的漏极与所述镜像电流源的第二端口连接；

所述第三PMOS晶体管的源极与电源连接，所述第三PMOS晶体管的漏极配置成输出所述偏置电流，第三PMOS晶体管的栅极连接到镜像电流源的栅极和第二端口。

2.根据权利要求1所述的放大器还包括：

至少一个反相器，与所述施密特触发器连接并配置成通过缓冲所述修正电压来产生输出电压。

3.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述镜像电流源包括第四PMOS晶体管和第五PMOS晶体管，其中所述镜像电流源的第一端口包括该第五PMOS晶体管的漏极，所述镜像电流源的第二端口包括所述第四PMOS晶体管的漏极，所述第四PMOS晶体管的栅极与所述第五PMOS晶体管的栅极连接，所述第四PMOS晶体管和所述第五PMOS晶体管的源极都与电源连接。

4.根据权利要求1所述的放大器，还包括第六PMOS晶体管、第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和所述第二反相器配置成通过缓冲所述修正电压来产生输出电压，其中所述第六PMOS晶体管的源极与电源连接，所述第六PMOS晶体管的栅极与所述第三PMOS晶体管的栅极连接，所述第六PMOS晶体管的漏极与所述第二反相器中第十九PMOS晶体管的源极连接并配置成提供偏置电压给该第二反相器。

5.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述放大单元包括第七PMOS晶体管、第八NMOS晶体管、第一电容器和第五电阻；

其中，所述第七PMOS晶体管和所述第八NMOS晶体管的栅极都配置成经由所述第一电容器接收输入电压；所述第七PMOS晶体管和所述第八NMOS晶体管的漏极都与所述施密特触发器的输入连接，所述第七PMOS晶体管的源极经由串联的第二电阻、第三电阻和第四电阻与所述第三PMOS晶体管的漏极连接，所述第八NMOS晶体管的源极连接到地；所述第五电阻连接于所述第一电容器与所述第八NMOS晶体管的漏极之间。

6.根据权利要求5所述的放大器，其特征在于，所述放大单元还包括第九PMOS晶体管、第十NMOS晶体管、第二电容器和第六电阻；

其中，所述第九PMOS晶体管的源极与所述第七PMOS晶体管的源极连接，所述第九PMOS晶体管的栅极经由所述第二电容器连接到地，所述第九PMOS晶体管的漏极与所述第十NMOS晶体管的栅极和漏极连接；所述第十NMOS晶体管的源极连接到地；所述第六电阻连接于所述第二电容器与所述第八NMOS晶体管的漏极之间。

7.根据权利要求5所述的放大器，其特征在于，所述施密特触发器包括第十一NMOS晶体管、第十二NMOS晶体管、第十三PMOS晶体管、第十四PMOS晶体管和第十五PMOS晶体管，

其中，所述第十一NMOS晶体管、所述第十二NMOS晶体管、所述第十三PMOS晶体管和所述第十四PMOS晶体管的栅极都与所述第七PMOS晶体管的漏极连接；

所述第十四PMOS晶体管的源极与所述第三电阻的一端连接，第三电阻的另一端连接到第二电阻，所述第十四PMOS晶体管的漏极与所述第十三PMOS晶体管的源极连接；

所述第十三PMOS晶体管的漏极与所述第十二NMOS晶体管的漏极连接，所述第十二NMOS晶体管的源极与所述第十一NMOS晶体管的漏极连接，所述第十一NMOS晶体管的源极连接到地；

所述第十五PMOS晶体管的源极与所述第十三PMOS晶体管的源极连接，所述第十五PMOS晶体管的栅极与所述第十三PMOS晶体管的漏极连接，所述第十五PMOS晶体管的漏极连接到地。

8.根据权利要求7所述的放大器，其特征在于，所述施密特触发器还包括第十六NMOS晶体管，

其中，所述第十六NMOS晶体管的源极与所述第十二NMOS晶体管的源极连接，所述第十六NMOS晶体管的栅极与所述第十五PMOS晶体管的栅极连接，所述第十六NMOS晶体管的漏极与所述第三电阻的一端连接，第三电阻的另一端连接到第二电阻。

9.根据权利要求5所述的放大器，其特征在于，所述施密特触发器包括第十一NMOS晶体管、第十二NMOS晶体管、第十三PMOS晶体管、第十四PMOS晶体管和第十六NMOS晶体管，

其中，所述第十一NMOS晶体管、所述第十二NMOS晶体管、所述第十三PMOS晶体管和所述第十四PMOS晶体管的栅极都与所述第七PMOS晶体管的漏极连接；

所述第十四PMOS晶体管的源极与所述第三电阻的一端连接，第三电阻的另一端连接到第二电阻，所述第十四PMOS晶体管的漏极与所述第十三PMOS晶体管的源极连接；

所述第十三PMOS晶体管的漏极与所述第十二NMOS晶体管的漏极连接，所述第十二NMOS晶体管的源极与所述第十一NMOS晶体管的漏极连接，所述第十一NMOS晶体管的源极连接到地；

所述第十六NMOS晶体管的源极与所述第十二NMOS晶体管的源极连接，所述第十六NMOS晶体管的栅极与所述第十二NMOS晶体管的漏极连接，所述第十六NMOS晶体管的漏极与所述第三电阻的一端连接，第三电阻的另一端连接到第二电阻。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的放大器，其特征在于，该放大器还包括第一反相器，所述第一反相器进一步包括第十七PMOS晶体管和第十八NMOS晶体管，

其中，所述第十七PMOS晶体管的源极与所述第三电阻的另一端连接，所述第十七PMOS晶体管和所述第十八NMOS晶体管的栅极都与所述第十二NMOS晶体管的漏极连接，所述第十七PMOS晶体管的漏极与所述第十八NMOS晶体管的漏极连接，所述第十八NMOS晶体管的源极连接到地。

11.根据权利要求10所述的放大器，其特征在于，该放大器还包括第二反相器，所述第二反相器进一步包括第十九PMOS晶体管和第二十NMOS晶体管，

其中，所述第十九PMOS晶体管的源极与第二电阻连接，所述第十九PMOS晶体管和所述第二十NMOS晶体管的栅极都与所述第十七PMOS晶体管的漏极连接，所述第十九PMOS晶体管的漏极与所述第二十NMOS晶体管的漏极连接，所述第二十NMOS晶体管的源极连接到地。

12.一种放大方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

产生独立于电源的偏置电流，以增加电源抑制比；

接收输入电压并基于所述偏置电流产生放