[发明专利]一种肖特基二极管在审

专利信息
申请号: 201410573144.6 申请日: 2014-10-23
公开(公告)号: CN105590966A 公开(公告)日: 2016-05-18
发明(设计)人: 吴志伟;黄璇;孙海刚 申请(专利权)人: 无锡华润华晶微电子有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 路凯;胡彬
地址: 214135 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种肖特基二极管,属于半导体技术领域,包括:衬底;外延层,位于所述衬底之上;终端结构,位于所述外延层内,且绕所述外延层上表面一周设置,所述终端结构限定区域内的外延层上表面为凹凸结构;势垒区,位于所述终端结构限定区域内的外延层之上,且与所述终端结构电连接,所述势垒区与所述外延层的接触面为凹凸结构;正面电极,位于所述势垒区之上;背面电极,位于所述衬底之下。本发明所述的肖特基二极管的势垒区与外延层的接触面为凹凸结构,大大增加了势垒区的面积,使得单位面积硅层上的势垒区面积得到增加,电流导通方向是多个方向,降低了肖特基二极管的正向导通压降。
搜索关键词: 一种 肖特基 二极管
【主权项】:
一种肖特基二极管,其特征在于,包括:衬底;外延层,位于所述衬底之上;终端结构,位于所述外延层内,且绕所述外延层上表面一周设置,所述终端结构限定区域内的外延层上表面为凹凸结构;势垒区,位于所述终端结构限定区域内的外延层之上,且与所述终端结构电连接,所述势垒区与所述外延层的接触面为凹凸结构;正面电极,位于所述势垒区之上;背面电极,位于所述衬底之下。
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