[发明专利]一种含铕的氟化钙晶体、制备方法及用途

摘要

本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种含铕的氟化钙晶体、制备方法及用途。本发明提供的含铕的氟化钙晶体可以使用Co60照射，通过RCA8850光电倍增管测量晶体的光产额，结果表明本发明提供的含铕的氟化钙晶体在含量较少的情况下，使氟化钙晶体具有了优异的具有闪烁晶体吸收高能粒子能量后发出一定波长闪烁荧光的性能。特别是晶体的相对光输出与硅酸钇镥闪烁(LYSO)晶体相当。此外，由于含量低，还利于生长高光学质量的晶体。本发明还提供了含铕的氟化钙晶体的制备方法及用途。

主权项

一种含铕的氟化钙晶体的制备方法，所述氟化钙晶体，包括铕元素，所述铕元素以氟化铕的方式添加到所述氟化钙晶体中，所述氟化钙晶体中氟化铕含量范围质量百分比为0.5×10‑1wt%，其特征在于，所述制备方法，包括以下步骤:步骤一、取所述含量范围的氟化钙和氟化铕粉末充分混合，得到混合物，将所述混合物静置24小时后装于真空干燥炉内，在200℃条件下烘干12小时，得到制晶原料；步骤二、将所述步骤一得到的制晶原料装入石墨坩埚，并将所述石墨坩埚放置于晶体生长炉内，所述晶体生长炉炉内真空度抽至1.0×10‑3P以上，后加热升温至原料全部熔化，所述石墨坩埚以5mm/h的速度下降，待所述制晶原料完全通过梯度区后降至室温得到结晶原料；步骤三、取出所述结晶原料，去除所述结晶原料顶部杂质较多的部分，得到含铕的氟化钙多晶原料，将所述多晶原料粉碎后得到多晶原料粉末用于晶体生长；步骤四、将所述多晶原料粉末，采用提拉法或坩埚下降法制备得到所述含铕的氟化钙晶体。