[发明专利]加压装置及控制方法有效
申请号: | 201410575558.2 | 申请日: | 2010-09-28 |
公开(公告)号: | CN104377151B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 田中庆一;泉重人 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;杨林森 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供加压装置及控制方法。在通过加压来接合基板的情况下,基板面内的压力均匀性成为问题。提供一种加压模块,该加压模块具备:工作台,该工作台具有载置被加压体的载置面;压力可变部,该压力可变部使上述载置面的面内的压力分布可变;多个压力检测部,该多个压力检测部对上述压力可变部的压力进行检测。上述压力可变部也可以具备控制部,该控制部基于由上述多个压力检测部检测出的压力,对上述载置面的面内的压力分布进行变更。 | ||
搜索关键词: | 压力可变 压力检测部 加压模块 加压装置 压力分布 工作台 压力均匀性 接合基板 基板面 加压体 载置面 检测 可变 载置 加压 变更 | ||
【主权项】:
1.一种加压装置,包括:下部顶板,载置多个半导体基板;上部顶板,与所述下部顶板相对向设置,从而在与所述下部顶板之间夹持所述多个半导体基板;副EV部,使所述下部顶板在面向所述上部顶板的方向上移动到预定位置;以及主EV部,从所述下部顶板向所述上部顶板施加压力;所述副EV部包括副活塞和副气缸;所述主EV部包括主活塞和主气缸;所述副活塞固定于所述主活塞上;所述副气缸内的空间被分割成位于所述主气缸侧的上部副室和位于地面侧的下部副室,上部副阀与所述上部副室连接,下部副阀与所述下部副室连接,所述副气缸的流体量由所述上部副阀及所述下部副阀进行控制;所述主气缸与所述主活塞之间形成主室,主阀与所述主室连接,所述主气缸的流体量由所述主阀进行控制;通过控制所述上部副阀及所述下部副阀并协调控制所述主阀,使所述下部顶板比预定速度更快地移动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社尼康,未经株式会社尼康许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410575558.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:液晶介质
- 下一篇:碱显影型的热固化性树脂组合物、印刷电路板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造