[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括其中层叠多个半导体层的半导体层层叠体，半导体层层叠体包括光接收层，光接收层通过金属有机气相外延方法生长，光接收层具有大于或等于3μm且小于或等于8μm的截止波长，在-140℃的温度下施加60mV的反向偏压时，半导体器件具有小于或等于1×10^-1A/cm²的暗电流密度。由此，提供可以接收中红外范围内的光并具有低暗电流的半导体器件。

主权项

一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体层层叠体，所述半导体层层叠体中层叠有多个半导体层，所述半导体层层叠体包括光接收层，所述光接收层通过金属有机气相外延方法生长，所述光接收层具有大于或等于3μm且小于或等于8μm的截止波长，当在‑140℃的温度下施加60mV的反向偏压时，所述半导体器件具有小于或等于1×10^‑1A/cm²的暗电流密度。