[发明专利]一种降低钎料键合热应力的方法及封装芯片有效

专利信息
申请号: 201410577345.3 申请日: 2014-10-24
公开(公告)号: CN105525332B 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 俞挺;丁海舰;王敏锐 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: C25D15/00 分类号: C25D15/00;C25D7/00
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王锋
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种降低钎料键合热应力的方法及封装芯片,所述方法包括采用电镀的方法在芯片和基板上制作钎料,所使用的电镀液中添加有微纳级导电不溶性颗粒。该降低钎料键合热应力的方法简单有效,由于微纳级导电不溶性颗粒的热膨胀系数介于基板和钎料之间,进行高温键合时,该微纳级导电不溶性颗粒能够对因热膨胀系数差异导致芯片和基板之间产生的热应力进行有效缓冲。另外本发明还可有效改善镀层的表面形貌,增强镀层的耐磨性,同时不影响后续的高温键合质量。
搜索关键词: 一种 降低 钎料键合热 应力 方法 封装 芯片
【主权项】:
1.一种降低钎料键合热应力的方法,其特征在于所述方法包括:采用电镀的方法在芯片和基板上制作钎料,所使用的电镀液中添加有直径为0.01~10μm的微纳级导电不溶性颗粒;所述微纳级导电不溶性颗粒的热膨胀系数介于钎料与基体的热膨胀系数之间。
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