[发明专利]磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法

摘要

本发明是一种磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法：制作发射极金属条形；采用干法刻蚀设备刻蚀一定厚度发射区材料；采用酸性腐蚀液腐蚀剩余厚度发射区材料；采用自对准方法制备基极接触金属，形成基极与发射极之间的电隔离，完成磷化铟异质结晶体管发射极干湿结合刻蚀制作；优点：对发射区材料先进行干法刻蚀可获得垂直的侧壁刻蚀形貌，保持发射区材料宽度；干法刻蚀到一定厚度后再进行湿法腐蚀可减小基区材料表面损伤，减小发射区材料侧掏深度。

主权项

一种磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法，其特征是该方法包括以下步骤：1）在磷化铟异质结晶体管外延材料上制作发射极金属条形；2）利用干法刻蚀设备，刻蚀一定厚度的发射区材料，获得垂直的发射区刻蚀侧壁；3）利用酸性腐蚀液，腐蚀剩余厚度的发射区材料，湿法腐蚀产生了不至于导致发射极断裂的侧掏深度；4）采用自对准方法制备基极接触金属，形成基极与发射极之间的电隔离，完成磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作。