[发明专利]一种基于微球光学谐振增强的硅薄膜光探测器及其制备方法有效
申请号: | 201410578408.7 | 申请日: | 2014-10-27 |
公开(公告)号: | CN104409561A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 李恭谨;黄高山;梅永丰 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/09;H01L31/0232 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于微纳器件技术领域,具体为一种基于微球阵列实现更强光响应的硅薄膜光探测器及其制备方法。制备方法包括在衬底上制备单层或多层单分散微球阵列作为光学谐振层;借助原子层沉积技术修饰微球阵列;通过单晶硅薄膜的制备/剥离以及转移技术在光学谐振层上形成单晶硅纳米薄膜制作光探测功能层。在制备过程中,通过对微球尺寸以及微球修饰层介电常数控制,调节光谐振层发生强光学谐振时对应的光波频率。在特定频率的光信号作用下,本发明光探测器可以比没有光学谐振层的同类器件获取更强的光响应。该探测器设计新颖,特定光波段下灵敏度高,为弱光信号的探测及传感、光通讯等领域开辟了新的前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 光学 谐振 增强 薄膜 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于微球光学谐振增强灵敏度的硅薄膜光探测器的制备方法,其特征在于具体步骤如下:(1)对衬底材料进行润湿性表面处理,并将微球谐振单元紧密排列在衬底之上,形成单层或多层有序阵列结构,得到光学谐振层;(2)在微球谐振单元表面包覆具有特定介电常数的材料,调节响应波段;(3)将单晶硅半导体薄膜转移至光学谐振层之上;(4)在单晶硅半导体薄膜表面沉积金属电极,并通过热处理改善电极接触;然后完成器件的后续封装。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学,未经复旦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410578408.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的