[发明专利]发光二极管的制备工艺在审
| 申请号： | 201410578925.4 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106067424A | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 赵兵兵 | 申请（专利权）人： | 西安烨森电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 发光二极管的制备工艺，包括以下步骤：(1)提供一发光二极管晶片；(2)于晶粒的周围形成一保护层，上沉积一电极层，与每一发光二极管晶粒电连接并作为晶粒的第一电极；(3)于相邻的发光二极管晶粒之间的间隙内设置一绝缘层；(4)提供一导电板，使每一发光二极管晶粒与导电板的导电胶连接，绝缘层隔断相邻的发光二极管芯片之间的导电胶；(5)去除发光二极管晶片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极；(6)利用透光材料包覆所述发光二极管晶片从而得到发光二极管。本发明在相邻的发光二极管芯片的间隙中设置有绝缘层，避免了相邻的发光二极管芯片在与底板连接时通过导电胶导通而造成短路的危险。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制备 工艺 | ||
【主权项】：
发光二极管的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片包括一衬底及自该衬底生长的若干发光二极管晶粒；(2)于发光二极管晶粒的周围形成一保护层，于保护层上沉积一电极层，电极层与每一发光二极管晶粒电连接并作为每一发光二极管晶粒的第一电极；(3)于相邻的发光二极管晶粒之间的间隙内设置一绝缘层；(4)提供一导电板，上涂布有导电胶，将衬底与发光二极管晶粒倒置，使每一发光二极管晶粒与导电板的导电胶连接，绝缘层隔断相邻的发光二极管芯片之间的导电胶；(5)去除发光二极管晶片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极；(6)利用透光材料包覆所述发光二极管晶片从而得到发光二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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