[发明专利]发光二极管的制造方法在审
| 申请号： | 201410579430.3 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106067495A | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 赵兵兵 | 申请（专利权）人： | 西安烨森电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 发光二极管的制造方法，包括以下步骤：(1)在碳化硅衬底上依次生长红、绿和蓝光发光二极管芯片；(2)于发光二极管晶粒的周围形成一保护层，于保护层上沉积一电极层，电极层与每一发光层进行电连接并作为每一发光二极管晶粒的第一电极；(3)提供一导电板，将该导电板组装于电极层上，去除发光二极管芯片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极；(4)去除保护层。相对于现有技术而言，本发明可减少工序，缩短制造时间，更适用于批量生产，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
发光二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在碳化硅衬底上依次生长一n型氮化镓层、一发光层及一p型氮化镓层，并通过向该发光层中参杂适量的铝来使该红光发光二极管芯片发红光；(2)在碳化硅衬底上依次生长一n型氮化镓层、一发光层及一p型氮化镓层，并通过向该发光层中参杂适量的磷来使该绿光发光二极管芯片发绿光；(3)在碳化硅衬底上依次生长一n型氮化镓层、一发光层及一p型氮化镓层，并通过向该发光层中参杂适量的铟来使该蓝光发光二极管芯片发蓝光；(4)于发光二极管晶粒的周围形成一保护层，于保护层上沉积一电极层，电极层与每一发光层进行电连接并作为每一发光二极管晶粒的第一电极；(5)提供一导电板，将该导电板组装于电极层上，去除发光二极管芯片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极；(6)去除保护层。
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