[发明专利]纳米孪晶铜再布线的制备方法

摘要

本发明提供一种纳米孪晶铜再布线的制备方法，包括步骤1）于基片上制备钝化层，并光刻出用于与芯片极板互联的窗口；2）于钝化层表面及所述互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成纳米孪晶铜再布线的光刻胶图形，采用脉冲电镀法于裸露的种子层表面制备一层纳米孪晶铜再布线层；4）去除光刻胶图形，并腐蚀掉多余的种子层。本发明采用脉冲电镀辅以快速退火处理，依靠脉冲电镀形成的大内应力驱使铜再结晶，形成高密度纳米孪晶再布线。本发明采用的电流密度低，采用当前设备即可，和现有的IC工艺完全兼容，属于圆片级封装工艺，效率高，成本低。制备的纳米孪晶铜综合力学性能优良，可以大幅缩减再布线尺寸到10um左右，且具有较高的热机械可靠性。

主权项

一种纳米孪晶铜再布线的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：1)于基片上制备钝化层，并于所述钝化层中光刻出用于与芯片极板互联的互联窗口；2)于所述钝化层表面及所述互联窗口中形成具有择优取向的种子层；3)于所述种子层表面形成纳米孪晶铜再布线的光刻胶图形，并以所述光刻胶图形为掩膜，采用脉冲电镀法于裸露的种子层表面制备一层纳米孪晶铜再布线层，其中，脉冲电镀法采用的电解液为硫酸铜纯溶液、去离子水及硫酸混合液，其PH为0.5‑1.5，采用的阴极为形成有种子层的基片，采用的脉冲电流密度为7～70mA/cm2，导通时间为1～10ms，关闭时间为90‑200ms；4)去除所述光刻胶图形，并腐蚀掉多余的种子层；其中，还包括对纳米孪晶铜再布线层进行退火的步骤，其中，退火温度为50～350℃。