[发明专利]铜碳化钽真空触头材料在审
| 申请号： | 201410582276.5 | 申请日： | 2014-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106141160A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李超 | 申请（专利权）人： | 西安立伟电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;C22C30/02;C22C32/00;H01H1/025 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了铜碳化钽真空触头材料，包括铜粉40～45份、金刚石微粉18～31份、钼粉7～18份、碳化钽6～14份、纳米金刚石5～9份、还原剂1～9份、镍3～9份、碳化钒6～8份、铝硅金属间化合物2～8份。本发明的铜碳化钽真空触头材料，以铜代替通用银合金触头，降低了电器开关银合金触头的成本；并且本发明的触头且有良好的电学性能以及耐腐蚀、耐氧化、耐机械冲击、硬度高等机械性能，在实际使用中寿命长；同时添加了金刚石微粉、钼粉、碳化钽，提高了触头材料硬度及耐摩擦及电损耗性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化 真空 材料 | ||
【主权项】：
铜碳化钽真空触头材料，其特征在于，包括铜粉40～45份、金刚石微粉18～31份、钼粉7～18份、碳化钽6～14份、纳米金刚石5～9份、还原剂1～9份、镍3～9份、碳化钒6～8份、铝硅金属间化合物2～8份。
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