[发明专利]一种以铂为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法无效
| 申请号： | 201410582941.0 | 申请日： | 2014-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN104402243A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李博 | 申请（专利权）人： | 李博 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 龚燮英 |
| 地址： | 545000 广西壮族自治区柳州*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种以铂为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法，包括：将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-2～10-4mbr，以氧化铬为靶材，靶基距为7～11cm，在所述玻璃衬底上溅射氧化铬薄膜；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-2～10-4mbr，以铂为靶材、靶基距为7～11cm，溅射铂薄膜。本发明采用真空溅射原理，并采用7～11cm的靶基距，制备得到的金属薄膜表面平整，厚度可控，可以用于表面等离子体共振芯片。实验结果表明，本发明制备的金属薄膜厚度均匀，为70nm左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 表面 等离子体 共振 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种以铂为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法，其特征在于，包括：步骤a)将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；步骤b)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10‑2～10‑4mbr，以氧化铬为靶材，靶基距为7～11cm，在所述玻璃衬底上溅射氧化铬薄膜；步骤c)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10‑2～10‑4mbr，以铂为靶材、靶基距为7～11cm，在所述步骤b)得到的产物上溅射铂薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李博，未经李博许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410582941.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
