[发明专利]承载装置和反应腔室有效
申请号: | 201410583010.2 | 申请日: | 2014-10-27 |
公开(公告)号: | CN105575871B | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 田立飞;武学伟;夏威 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种承载装置,该承载装置包括用于承载基片的基座和用于对所述基片进行冷却的冷却机构,所述冷却机构包括背吹管道,所述基座上设置有沿所述基座的厚度方向贯穿所述基座的通孔,所述背吹管道的出气端设置在所述通孔中,其中,所述冷却机构还包括调节所述背吹管道内的背吹气体的温度的辅助冷却结构。本发明还提供一种反应腔室。当利用本发明所提供的承载装置进行微电子加工工艺时,利用辅助冷却结构对背吹管道内的背吹气体进行温度调节,利用经过温度调节后的背吹气体可以将基座上设置的基片冷却至所需温度。 | ||
搜索关键词: | 承载 装置 反应 | ||
【主权项】:
1.一种承载装置,该承载装置包括用于承载基片的基座和用于对所述基片进行冷却的冷却机构,所述冷却机构包括背吹管道,所述基座上设置有沿所述基座的厚度方向贯穿所述基座的通孔,所述背吹管道的出气端设置在所述通孔中,其特征在于,所述冷却机构还包括调节所述背吹管道内的背吹气体的温度的辅助冷却结构,所述辅助冷却结构包括冷却管道,所述冷却管道中能够通入用于调节所述背吹管道中的背吹气体的温度的冷却液,并且,所述冷却管道固定在所述背吹管道的一部分上;其中,所述冷却管道包括上行管道和下行管道,所述上行管道和所述下行管道均为环绕所述背吹管道的螺旋管,或者所述上行管道包括围成上行冷却液通道的第一内壁、第一外壁和两个第一连接壁,所述第一内壁与所述背吹管道的外表面的一部分贴合,两个所述第一连接壁分别在所述第一内壁的周向方向的两侧将所述第一内壁与所述第一外壁相连,所述下行管道包括围成下行冷却液通道的第二内壁、第二外壁和两个第二连接壁,所述第二内壁与所述背吹管道的外表面的一部分贴合,两个所述第二连接壁分别在所述第二内壁的周向方向的两侧将所述第二内壁与所述第二外壁相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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