[发明专利]基于有机晶体管的植入式柔性传感器及制备方法有效
| 申请号： | 201410583521.4 | 申请日： | 2014-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN104330440A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 裴为华;陈远方;归强;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;A61B5/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于有机晶体管的植入式柔性传感器，包括：一衬底支撑层；一左金属源电极，该左金属源电极制作在该衬底支撑层表面中间的一侧；一右金属漏电极，该右金属漏电极制作在该衬底支撑层表面中间的另一侧，与金属源电极相隔一预定距离；一绝缘层，该绝缘层制作在衬底支撑层和左金属源电极和右金属漏电极的部分上面，该绝缘层的中间为断开窗口；一有机导电聚合物有源层，该导电聚合物有源层制作在绝缘层断开的窗口内，并覆盖左金属源电极和右金属漏电极，该导电聚合物有源层对电生理活动所引起的离子浓度敏感；一辅助传感器植入目标组织的鞘结构，该鞘结构制作在绝缘层断开一侧的上面，该鞘结构用于辅助整个柔性传感器植入到脑组织深部，以便记录到单个神经元信号。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 有机 晶体管 植入 柔性 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于有机晶体管的植入式柔性传感器，包括：一衬底支撑层；一左金属源电极，该左金属源电极制作在该衬底支撑层表面中间的一侧；一右金属漏电极，该右金属漏电极制作在该衬底支撑层表面中间的另一侧，与金属源电极相隔一预定距离；一绝缘层，该绝缘层制作在衬底支撑层和左金属源电极和右金属漏电极的部分上面，该绝缘层的中间为断开窗口；一有机导电聚合物有源层，该导电聚合物有源层制作在绝缘层断开的窗口内，并覆盖左金属源电极和右金属漏电极，该导电聚合物有源层对电生理活动所引起的离子浓度敏感；一辅助传感器植入目标组织的鞘结构，该鞘结构制作在绝缘层断开一侧的上面，该鞘结构用于辅助整个柔性传感器植入到脑组织深部，以便记录到单个神经元信号。
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