[发明专利]晶体管装置有效
申请号: | 201410584815.9 | 申请日: | 2014-10-27 |
公开(公告)号: | CN104600099A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 彼德拉·C·A·哈梅斯;约瑟夫斯·H·B·范德赞登;罗伯·马蒂兹·赫里斯;阿尔贝特·G·W·P·范佐耶伦 | 申请(专利权)人: | 恩智浦有限公司 |
主分类号: | H01L29/41 | 分类号: | H01L29/41;H01L29/78 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吕雁葭 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种晶体管装置,包括导电衬底;半导体本体,半导体本体包括晶体管结构,晶体管结构包括源极端子连接到所述衬底;接合焊盘,接合焊盘提供连接到晶体管结构,晶体管结构被配置为接收接合线;其中半导体本体包括射频返回电流路径用于传送与所述接合线相关的返回电流,所述射频返回电流路径包括布置在所述本体上的金属条,所述金属条配置为在所述接合焊盘下延伸和连接到晶体管结构的源极端子。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 装置 | ||
【主权项】:
一种晶体管装置,其特征在于,包括:导电衬底;半导体本体,半导体本体包括晶体管结构,晶体管结构包括连接到所述衬底的源极端子;接合焊盘,接合焊盘提供连接到晶体管结构,晶体管结构被配置为接收接合线;其中半导体本体包括射频返回电流路径用于传送与所述接合线相关联的返回电流,所述射频返回电流路径包括布置在所述半导体本体上的金属条,所述金属条被配置为在所述接合焊盘下延伸和连接到晶体管结构的所述源极端子。
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