[发明专利]玻璃基板上的全硅电极电容换能器在审
| 申请号： | 201410585578.8 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104555889A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | B.R.约翰逊;R.苏皮诺 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;徐红燕 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 玻璃基板上的全硅电极电容换能器。一种全硅电极电容换能器，包括：耦合到玻璃基板的可移动硅微结构，该可移动硅微结构具有可移动硅电极，玻璃基板具有顶表面和至少一个凹进，所述可移动硅电极具有平行于所述玻璃基板的所述顶表面的平面的第一平坦表面，所述可移动硅电极具有第一电子功函数；以及耦合到玻璃基板的固定硅电极，该固定硅电极位于可移动硅电极附近，所述固定硅电极配置成感测或促使所述可移动硅微结构的位移，其中所述固定硅电极具有平行于所述第一平坦表面的第二平坦表面，所述固定硅电极具有与所述第一电子功函数相等的第二电子功函数。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 基板上 电极 电容 换能器 | ||
【主权项】：
一种全硅电极电容换能器（100），包括：耦合到玻璃基板（109）的可移动硅微结构（103），该可移动硅微结构具有可移动硅电极（104），所述玻璃基板具有顶表面和至少一个凹进，所述可移动硅电极具有平行于所述玻璃基板的所述顶表面的平面的第一平坦表面，所述可移动硅电极具有第一电子功函数；以及耦合到玻璃基板（109）的固定硅电极（105），该固定硅电极与所述可移动硅电极相邻，所述固定硅电极配置成感测或促使所述可移动硅微结构的位移，其中所述固定硅电极具有平行于所述第一平坦表面的第二平坦表面，所述固定硅电极具有与所述第一电子功函数相等的第二电子功函数，其中所述玻璃基板具有第一凹进，其中所述固定硅电极结合到所述第一凹进。
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