[发明专利]在气态环境中激光加工光致抗蚀剂的方法在审
| 申请号： | 201410586452.2 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105261559A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | A·W·泽菲洛普洛;A·M·霍里鲁克 | 申请（专利权）人： | 超科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;G03F7/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张钦 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供在气态环境中激光加工光致抗蚀剂以改进抗蚀刻性和线-边缘粗糙度中至少一种的方法。所述方法包括按序引入第一和第二分子气体到光致抗蚀剂的表面，和针对每一分子气体，分别进行表面的第一和第二激光扫描。第一分子气体可以是选自三甲基铝、四氯化钛和二乙基锌中的至少一种，和第二分子气体包括水蒸气。短的停留时间防止光致抗蚀剂流动，同时起到加快光致抗蚀剂强化工艺的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 气态 环境 激光 加工 光致抗蚀剂 方法 | ||
【主权项】：
一种改善在图案化的产品晶片上具有表面的光致抗蚀剂层的抗蚀刻性和线‑边缘粗糙度中至少一个的方法，所述方法包括：a)将光致抗蚀剂层暴露于选自三甲基铝(Al2(CH3)6)气体、四氯化钛(TiCl4)气体和二乙基锌((C2H5)2Zn)气体的至少一种第一工艺气体下；b)激光辐照光致抗蚀剂层和第一工艺气体，以引起第一工艺气体浸入到光致抗蚀剂层内，其中光致抗蚀剂层的表面被升温到300℃至500℃，且温度的均匀度为+/‑5℃；c)从光致抗蚀剂层的附近除去剩余的第一工艺气体；d)将光致抗蚀剂层暴露于含H2O的第二工艺气体下；和e)激光辐照光致抗蚀剂层和第二工艺气体，以引起H2O浸入到光致抗蚀剂层内，其中光致抗蚀剂层的表面被升温到300℃至500℃，且温度的均匀度为+/‑5℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
