[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池的化学气相沉积制备方法有效
申请号: | 201410586978.0 | 申请日: | 2014-10-28 |
公开(公告)号: | CN104393109A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 罗派峰;刘兆范;夏伟 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/44 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 何梅生 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池的化学气相沉积制备方法,其特征在于:在FTO导电玻璃的FTO薄膜所在面上沉积致密层TiO2薄膜作为电子传输层;在电子传输层上通过化学气相沉积法制备钙钛矿光吸收层薄膜;在钙钛矿光吸收层薄膜上制备空穴传输层;在空穴传输层上蒸镀Ag电极或者Au电极作为顶电极,即得钙钛矿太阳能电池。本发明制备方法简单,成本低廉,所制备的钙钛矿光吸收层薄膜质量高、衬底覆盖性佳、稳定性及重复性好,所制备的平面异质结钙钛矿太阳能电池的初步转化效率达到11%。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 太阳能电池 化学 沉积 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种钙钛矿太阳能电池的化学气相沉积制备方法,其特征在于按如下步骤进行:a、在FTO导电玻璃的FTO薄膜所在面上沉积致密层TiO2薄膜作为电子传输层;b、在所述电子传输层上通过化学气相沉积法制备钙钛矿光吸收层薄膜;c、在所述钙钛矿光吸收层薄膜上制备2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴层作为空穴传输层;d、在所述空穴传输层上蒸镀Ag电极或者Au电极作为顶电极,即得钙钛矿太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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